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Japanese conversation level

N1 or N1 equivalent Japanese ability

Work Location

Kyoto

Occupation

Other

Employment status

Full time employee (mid career)

Salary

Annual income 8,500,000 ~ 15,000,000

Job Description


***会社概要***
ファブレスのSiCパワーデバイスデザインハウス

***企業PR***
台湾のベンチャーが台北をヘッドクォーターに京都にファブレスのパワーデバイス・モジュールのデザインハウスを展開。海外のユーザーからの開発依頼を受け、新技術の開発を行う。

***仕事内容***
台湾のベンチャーがサーバー用のファブレスPower Device & Module開発を計画し、京都に研究開発拠点の設立をした。
香港・アメリカなどのユーザーからの開発依頼を受け研究開発拠点の整備を行い、大学や産業界と共同で新技術の研究開発に従事していく。

***待遇条件***
社会保険完備

***休日休暇***
土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り

Original Text (Japanese)

Qualification requirements

日本での就労許可が必要です

***応募資格***
Wide-band-Gap Semiconductor Device & Module 研究開発の経験者、もしくは製品設計、製造プロセスの経験がある方。
1.Wide-band-Gap Semiconductor Device Designの経験がある方
2.Wide-band-Gap Semiconductor Process の経験がある方(Foundry依頼時のParameter協議のできる方)
3.Wide-band-Gap Semiconductor Module Designの経験がある方。
<言語>
・英語もしくは中国語での意思疎通が可能な方
【その他】
・大卒以上
・30歳〜50歳位が望ましい

Original Text (Japanese)

Holiday

土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り

Original Text (Japanese)

Publisher Career Cross 3 years ago

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