仕事内容
＜職務概要＞ ・デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発に従事。1X,2Xnm世代のNAND設計開発 およびNORフラッシュメモリのRTL設計・ロジック検証を担当。 ・米国拠点との共同開発体制において、日本拠点で主にロジック設計と検証業務を担当。 ・主に不揮発性メモリの設計・開発業務に従事。1X,2Xnm世代のNAND設計開発を担当。・不揮発性メモリの設計・開発 ・1X,2Xnm世代のNAND設計開発 ・NORフラッシュメモリのRTL設計・ロジック検証 ・英語を活用した米国とのコミュニケーション
＜職務概要＞ ・デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発に従事。1X,2Xnm世代のNAND設計開発 およびNORフラッシュメモリのRTL設計・ロジック検証を担当。 ・米国拠点との共同開発体制において、日本拠点で主にロジック設計と検証業務を担当。 ・主に不揮発性メモリの設計・開発業務に従事。1X,2Xnm世代のNAND設計開発を担当。・不揮発性メモリの設計・開発 ・1X,2Xnm世代のNAND設計開発 ・NORフラッシュメモリのRTL設計・ロジック検証 ・英語を活用した米国とのコミュニケーション
募集要項
日本語レベル
日常会話レベル（N3相当）
必須言語※日本語以外
英語 : 日常会話レベル
雇用形態
正社員（中途採用）
職種
プロセスエンジニア (半導体・液晶など)
勤務地
神奈川県横浜市
給与
年収： ¥ 6,000,000~12,000,000
勤務時間
10:00 ~ 15:00
就業時間：
＊フレックスタイム制：
①コアタイム：10:00～15:00
②は標準的な勤務時間帯＞
①10時00分～15時00分
（1日の所定労働時間数 5時間0分）
②9時00分～18時00分
（1日の所定労働時間数 8時間0分）
応募条件
・メモリ開発のご経験（RTL設計、ロジック検証など） ・英語での基本的なコミュニケーションスキル ・1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験
・NORフラッシュメモリの設計経験
休日・休暇
■定例：毎週（土日祝日） ■非定例日：・年間有給休暇10日～20日 （下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）・GW、夏季休暇、年末年始休暇" ■年間合計休日日数：124日
福利厚生
■加入保険： ・厚生年金 ・健康保険 ・雇用保険 ・労災保険 ■その他 （退職金制度：中小企業退職金共済組合に加入、前払い可能 ■【その他制度】 リロクラブ(契約施設は利用可能)、 昼食補助あり、定年60歳、再雇用あり
更新日 2/4/2025
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