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Nivel de conversación en Japonés
N1 o N1 habilidad japonesa equivalente
Locación laboral
Kyoto
Ocupación
Otros
Modo contractual
Empleado a tiempo completo (mitad de carrera)
Salario
Ingreso anual 8,500,000 ~ 15,000,000
Descripción laboral
***会社概要***
ファブレスのSiCパワーデバイスデザインハウス
***企業PR***
台湾のベンチャーが台北をヘッドクォーターに京都にファブレスのパワーデバイス・モジュールのデザインハウスを展開。海外のユーザーからの開発依頼を受け、新技術の開発を行う。
***仕事内容***
台湾のベンチャーがサーバー用のファブレスPower Device & Module開発を計画し、京都に研究開発拠点の設立をした。
香港・アメリカなどのユーザーからの開発依頼を受け研究開発拠点の整備を行い、大学や産業界と共同で新技術の研究開発に従事していく。
***待遇条件***
社会保険完備
***休日休暇***
土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り
Texto original (Japonés)
Requerimientos de calificación
日本での就労許可が必要です
***応募資格***
Wide-band-Gap Semiconductor Device & Module 研究開発の経験者、もしくは製品設計、製造プロセスの経験がある方。
1.Wide-band-Gap Semiconductor Device Designの経験がある方
2.Wide-band-Gap Semiconductor Process の経験がある方（Foundry依頼時のParameter協議のできる方）
3.Wide-band-Gap Semiconductor Module Designの経験がある方。
<言語>
・英語もしくは中国語での意思疎通が可能な方
【その他】
・大卒以上
・30歳〜50歳位が望ましい
Texto original (Japonés)
Vacaciones
土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り
Texto original (Japonés)
Publicado por Career Cross hace 3 años