Tuyển dụng Thư mục khác ở Kyoto

Hết thời hạn nộp đơn cho việc làm này.

Tìm việc khác

Trình độ giao tiếp tiếng Nhật

Có khả năng tiếng Nhật từ N1 hoặc tương đương N1.

Nơi làm việc

Kyoto

Nghề nghiệp

Thư mục khác

Hình thức tuyển dụng

Nhân viên chính thức ( tuyển dụng giữa chừng )

Lương

Thu nhập năm 8,500,000 ~ 15,000,000

Nội dung công việc

***会社概要***
ファブレスのSiCパワーデバイスデザインハウス

***企業PR***
台湾のベンチャーが台北をヘッドクォーターに京都にファブレスのパワーデバイス・モジュールのデザインハウスを展開。海外のユーザーからの開発依頼を受け、新技術の開発を行う。

***仕事内容***
台湾のベンチャーがサーバー用のファブレスPower Device & Module開発を計画し、京都に研究開発拠点の設立をした。
香港・アメリカなどのユーザーからの開発依頼を受け研究開発拠点の整備を行い、大学や産業界と共同で新技術の研究開発に従事していく。

***待遇条件***
社会保険完備

***休日休暇***
土・日・祝日夏期・冬期休暇有り

Văn bản trên là văn bản gốc (tiếng Nhật).

Tư cách ứng tuyển

日本での就労許可が必要です

***応募資格***
Wide-band-Gap Semiconductor Device & Module 研究開発の経験者、もしくは製品設計、製造プロセスの経験がある方。
1.Wide-band-Gap Semiconductor Device Designの経験がある方
2.Wide-band-Gap Semiconductor Process の経験がある方（Foundry依頼時のParameter協議のできる方）
3.Wide-band-Gap Semiconductor Module Designの経験がある方。
<言語>
・英語もしくは中国語での意思疎通が可能な方
【その他】
・大卒以上
・30歳〜50歳位が望ましい

Văn bản trên là văn bản gốc (tiếng Nhật).

Ngày nghỉ・Kỳ nghỉ

土・日・祝日　夏期・冬期休暇有り

Văn bản trên là văn bản gốc (tiếng Nhật).

Nguồn đăng: Career Cross, 3 năm trước