Português
Histórico de busca
Histórico de navegação
Histórico de busca
Entrar
Nível de conversação em japonês
N1 ou N1 equivalente habilidade japonesa
Local de trabalho
Kyoto
Ocupação
Outros
Situação profissional
Empregados em tempo integral (meados de carreira)
Salário
Rendimento anual 8,500,000 ~ 15,000,000
Descrição do trabalho
***会社概要***
ファブレスのSiCパワーデバイスデザインハウス
***企業PR***
台湾のベンチャーが台北をヘッドクォーターに京都にファブレスのパワーデバイス・モジュールのデザインハウスを展開。海外のユーザーからの開発依頼を受け、新技術の開発を行う。
***仕事内容***
台湾のベンチャーがサーバー用のファブレスPower Device & Module開発を計画し、京都に研究開発拠点の設立をした。
香港・アメリカなどのユーザーからの開発依頼を受け研究開発拠点の整備を行い、大学や産業界と共同で新技術の研究開発に従事していく。
***待遇条件***
社会保険完備
***休日休暇***
土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り
Descrição original (japonês)
Qualificações necessárias
日本での就労許可が必要です
***応募資格***
Wide-band-Gap Semiconductor Device & Module 研究開発の経験者、もしくは製品設計、製造プロセスの経験がある方。
1.Wide-band-Gap Semiconductor Device Designの経験がある方
2.Wide-band-Gap Semiconductor Process の経験がある方（Foundry依頼時のParameter協議のできる方）
3.Wide-band-Gap Semiconductor Module Designの経験がある方。
<言語>
・英語もしくは中国語での意思疎通が可能な方
【その他】
・大卒以上
・30歳〜50歳位が望ましい
Descrição original (japonês)
Feriados/férias
土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り
Descrição original (japonês)
Postado por Career Cross há 3 anos