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工作地点

京都府

职业分类

其他

雇用形式

正社员(录用往届生或有工作经验者)

薪酬

年薪 8,500,000 ~ 15,000,000

工作内容


***会社概要***
ファブレスのSiCパワーデバイスデザインハウス

***企業PR***
台湾のベンチャーが台北をヘッドクォーターに京都にファブレスのパワーデバイス・モジュールのデザインハウスを展開。海外のユーザーからの開発依頼を受け、新技術の開発を行う。

***仕事内容***
台湾のベンチャーがサーバー用のファブレスPower Device & Module開発を計画し、京都に研究開発拠点の設立をした。
香港・アメリカなどのユーザーからの開発依頼を受け研究開発拠点の整備を行い、大学や産業界と共同で新技術の研究開発に従事していく。

***待遇条件***
社会保険完備

***休日休暇***
土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り

以上内容为原文(日语)

应聘资格

日本での就労許可が必要です

***応募資格***
Wide-band-Gap Semiconductor Device & Module 研究開発の経験者、もしくは製品設計、製造プロセスの経験がある方。
1.Wide-band-Gap Semiconductor Device Designの経験がある方
2.Wide-band-Gap Semiconductor Process の経験がある方(Foundry依頼時のParameter協議のできる方)
3.Wide-band-Gap Semiconductor Module Designの経験がある方。
<言語>
・英語もしくは中国語での意思疎通が可能な方
【その他】
・大卒以上
・30歳〜50歳位が望ましい

以上内容为原文(日语)

休假

土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り

以上内容为原文(日语)

发布网站Career Cross3年前

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