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ဂျပန်စကားပြောအဆင့်
N1အထက်、သို့မဟုတ်N1နှင့်ကိုက်ညီသောဂျပန်စာအရည်အချင်းရှိတယ်။
အလုပ်တည်နေရာ
Kyoto
အလုပ်အကိုင်အမျိုးအစား
အခြား
အလုပ်ခန့်ပုံအမျိုးအစား
အမြဲတမ်းဝန်ထမ်း(လိုအပ်သောနေရာအတွက်အလုပ်ခန့်ခြင်း)
လစာ
နှစ်စဉ်ဝင်ငွေ 8,500,000 ~ 15,000,000
အလုပ်အကြောင်းအရာ
***会社概要***
ファブレスのSiCパワーデバイスデザインハウス
***企業PR***
台湾のベンチャーが台北をヘッドクォーターに京都にファブレスのパワーデバイス・モジュールのデザインハウスを展開。海外のユーザーからの開発依頼を受け、新技術の開発を行う。
***仕事内容***
台湾のベンチャーがサーバー用のファブレスPower Device & Module開発を計画し、京都に研究開発拠点の設立をした。
香港・アメリカなどのユーザーからの開発依頼を受け研究開発拠点の整備を行い、大学や産業界と共同で新技術の研究開発に従事していく。
***待遇条件***
社会保険完備
***休日休暇***
土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り
အောက်ပါစာသား၏မူရင်းမှာ（ဂျပန်စာ）ဖြစ်သည်။
အရည်အချင်းလိုအပ်ချက်
日本での就労許可が必要です
***応募資格***
Wide-band-Gap Semiconductor Device & Module 研究開発の経験者、もしくは製品設計、製造プロセスの経験がある方。
1.Wide-band-Gap Semiconductor Device Designの経験がある方
2.Wide-band-Gap Semiconductor Process の経験がある方（Foundry依頼時のParameter協議のできる方）
3.Wide-band-Gap Semiconductor Module Designの経験がある方。
<言語>
・英語もしくは中国語での意思疎通が可能な方
【その他】
・大卒以上
・30歳〜50歳位が望ましい
အောက်ပါစာသား၏မူရင်းမှာ（ဂျပန်စာ）ဖြစ်သည်။
ပိတ်ရက်နားရက်
土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り
အောက်ပါစာသား၏မူရင်းမှာ（ဂျပန်စာ）ဖြစ်သည်။
ထုတ်ဝေသူCareer Crossလွန်ခဲ့သော 3 နှစ် က